特許
J-GLOBAL ID：200903048636390680
エピタキシャル膜の成長法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-183347
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026380
出願日： 1997年07月09日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】基板上に薄膜をエピタキシャル成長させる場合に、原子レベルの平坦領域の大きさがμm級以上である高品質なエピタキシャル成長膜を形成する方法を提供すること。【解決手段】エピタキシャル膜を成長させる際に、前記エピタキシャル膜の成長面における原料原子の濃度が凝集による核形成を起こす臨界過飽和濃度以上にならない様に前記原料の供給量を制御し、かつ前記成長面における原子もしくは分子の再配列構造が相転移を起こす条件が保持される様に基板温度などの成長パラメータを制御しつつ前記エピタキシャル膜を成長させる。
請求項（抜粋）：
エピタキシャル膜を成長させる際に、前記エピタキシャル膜の成長面における原料原子の濃度が凝集による核形成を起こす臨界過飽和濃度よりも小になる様に、前記原料の供給量を制御し、かつ少なくとも基板温度を含む結晶成長条件を、前記成長面における原子もしくは分子の再配列構造が相転移を起こす条件に保持しつつ前記エピタキシャル膜を成長させることを特徴とするエピタキシャル膜の成長法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 21/203
, H01L 21/205
H01L 21/20
, H01L 21/203 M
, H01L 21/205
