特許
J-GLOBAL ID：200903048637543014
イメージセンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小林 将高
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-131049
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326291
出願日： 1993年05月10日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 ダイオードを用いることなく各光電変換素子間の電流の回り込み防止を可能にしイメージセンサを得る。【構成】 個別電極1を設けた支持体4の上にブロッキング層2と光導電層3とが形成され、その上に共通電極5が設けられ、光導電層3を、光照射時に逆バイアス電圧を印加したときの抵抗値が、順バイアス電圧を印加したときの抵抗値に比べて100倍以上大きい有機の光導電材料で構成したものである。
請求項（抜粋）：
順バイアス電圧を印加して光信号検出を行う光電変換素子を一列に複数個配列した光電変換素子列を用い、前記各光電変換素子の一端を共通電極側に、他端を個別電極側にマトリクス配線により接続したイメージセンサにおいて、前記各光電変換素子は、光照射時に逆バイアス電圧を印加したときの抵抗値が、順バイアス電圧を印加したときの抵抗値に比べて100倍以上大きい有機の光導電層を有することを特徴とするイメージセンサ。
IPC (3件)：
H01L 27/146
, H04N 1/028
, H04N 5/335
