特許

J-GLOBAL ID：200903048640982100

半導体レーザ

発明者： 藤澤 弘和
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-001136
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218561
出願日： 1992年01月08日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】半導体レーザペレットをヒートシンク上に載置・固定し、前記ヒートシンクをステムのポストに載置・固定して、半導体レーザペレットに生ずる熱応力を低減する。【構成】ステムのポストの中央部の少くともヒートシンクを載置・固定する部分を空洞にする。【効果】半導体レーザペレット,ヒートシンク,ステムのポストの各々の弾性常数の差によって半導体レーザペレットの活性層付近に生ずる熱応力が低減される。

請求項（抜粋）：

半導体レーザペレットを載置したヒートシンクをステムのポストに載置・固定した半導体レーザにおいて、前記ポストの中央部の少くともヒートシンクを載置・固定する部分を空洞にしたことを特徴とする半導体レーザ。