特許

J-GLOBAL ID：200903048647800554

ポジ型レジスト組成物

発明者： 佐藤 健一郎 ,  児玉 邦彦 ,  青合 利明
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 萩野 平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-199210
公開番号（公開出願番号）：特開2001-027807
出願日： 1999年07月13日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】【課題】遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光(波長193nm)を使用するミクロフォトファブリケ-ションにあって、十分な感度及び解像力を有し、スカムの発生のないポジ型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】(A)特定の構造の繰り返し構造単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、(B)特定の構造の溶解阻止剤、及び(C)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(I)及びで示される繰り返し構造単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、【化1】(上記一般式(I)、(II)中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2は炭素数1〜4のアルキル基を表す。Wは、単結合、アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表す。Ra,Rb,Rc,Rd,Reは各々独立に、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。m,nは各々独立に0〜3の整数を表し、m+nは、2以上6以下である。)(B)下記一般式(IV)で示される多環式部分を少なくとも2個有する溶解阻止剤、【化2】(上記式で示される多環式部分は、水素原子が酸不安定性基により置換されている少なくとも1個のカルボン酸基を含有する置換基で置換されている。)及び(C)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/039 601 ,  C08F 2/46 ,  C08L 33/04 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/039 601 ,  C08F 2/46 ,  C08L 33/04 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (59件)：

2H025AA00 ,  2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J002BD123 ,  4J002BE041 ,  4J002BF011 ,  4J002BG011 ,  4J002BG041 ,  4J002BG051 ,  4J002BG071 ,  4J002BG081 ,  4J002BG121 ,  4J002BG131 ,  4J002BH001 ,  4J002BH021 ,  4J002CA002 ,  4J002CP033 ,  4J002EB116 ,  4J002EB146 ,  4J002EU186 ,  4J002EU216 ,  4J002EV216 ,  4J002EV296 ,  4J002FD313 ,  4J002GP03 ,  4J011QA02 ,  4J011QA03 ,  4J011QA06 ,  4J011QA08 ,  4J011QA32 ,  4J011QA33 ,  4J011QA36 ,  4J011QA38 ,  4J011QA40 ,  4J011QA45 ,  4J011QA46 ,  4J011RA10 ,  4J011SA78 ,  4J011SA79 ,  4J011SA83 ,  4J011SA87 ,  4J011TA08 ,  4J011TA10 ,  4J011UA02 ,  4J011UA04 ,  4J011VA01 ,  4J011WA01