特許
J-GLOBAL ID：200903048653557718
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大菅 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-012191
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224213
出願日： 1993年01月28日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【目的】 逆バイアス耐圧特性を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 本発明の半導体装置の製造方法は、p- 型コレクタ領域12の表面から所定の深さに選択的にn型不純物をイオン打込み、その不純物を熱拡散してn- 型第2ベース領域14を形成する。そして、上記熱拡散によって、n- 型第2ベース領域14はp- 型コレクタ領域12の表面部に形成されるn+ 型第1ベース領域13に接続される。さらに、n+ 型第1ベース領域13およびn- 型第2ベース領域14によって囲まれるp- 型エミッタ周辺領域15内の表面部に、選択的にp+ 型エミッタ領域16を形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板にイオン打込みによって第2導電型の不純物を所定深さに選択的に打ち込み、該イオン打込みによって不純物を導入した位置の端部を取り囲む領域に対向する前記半導体基板の表面に第2導電型の不純物を導入し、熱拡散して、前記所定深さに打ち込まれた不純物と前記表面に導入された不純物とを接続する第2導電型の半導体領域を形成し、該半導体領域に囲まれた領域の表面部に第1導電型の半導体領域を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 21/265
, H01L 29/74
, H01L 29/804
H01L 29/72
, H01L 21/265 W
, H01L 29/80 V
