特許
J-GLOBAL ID：200903048659027460
半導体レーザーおよびその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-283340
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121839
出願日： 1991年10月29日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【構成】半導体基板上に1回目成長としてレーザーの特性上所望のクラッド層厚をもつダブルヘテロ構造を形成し、しかるのち電流が注入されるためのストライプ領域上に選択成長保護膜を形成し、2回目の成長として、電流ブロック層を所望の厚さ選択的に成長させ、さらに選択成長保護膜を取り除いたのちに、3回目の成長として電流を注入するための第2のクラッド層およびコンタクト層を成長したことを特徴とする半導体レーザーの製造方法において、1回目成長時にエッチング工程を用いずに所望のクラッド層残し膜厚をもつダブルヘテロ構造を形成することを特徴とする半導体レーザーの製造方法。【効果】本発明により、特性の均一な半導体レーザーを分留りよく得ることができる半導体レーザーの製造方法を提供しうる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に1回目の成長として、第1のクラッド層、活性層及び第2クラッド層から構成されるダブルヘテロ構造を形成し、しかるのち電流が注入されるストライプ領域を成長させる部分に選択成長保護膜を形成し、2回目の成長として、電流ブロック層を所望の厚さ選択的に成長させ、さらに選択成長保護膜を除去した後に、3回目の成長として、電流を注入するための第3のクラッド層及びコンタクト層を成長する半導体レーザーの製造方法において、1回目成長で形成される表面側クラッド層の厚みをレーザー特性上必要とされる厚さに成長させ、特に、エッチング工程を用いないことを特徴とする方法。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
