特許

J-GLOBAL ID：200903048660110770

半導体装置の製造方法

発明者： 伊藤 直樹
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-208101
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066378
出願日： 1993年08月24日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】同じチップ10に光センサ20とその出力補正用のEPROM30を組み込みその上に遮光膜50を設ける半導体装置のEPROM30のトランジスタの動作しきい値の異常低下による誤動作を防止する。【構成】光センサ20とEPROM30を覆うように紫外光に対し透過性をもつ下側絶縁膜40を被覆し、その上側に光センサ20用の入射窓51とEPROM30用の照射窓52を備える遮光膜50を配設し、照射窓52を介し紫外光UVをEPROM30に照射することにより遮光膜50の配設中に低下したトランジスタの動作しきい値を回復させた後、遮光膜50の上に紫外光に対し非透過性の上側絶縁膜60を被覆して半導体装置の使用中にそのデータ記憶内容が消失しないようにする。

請求項（抜粋）：

光センサとEPROMを作り込んで光センサに対する入射窓をもつ遮光膜を被覆してなる半導体装置を製造する方法であって、光センサおよびEPROMを覆うように紫外光に対して透過性の下側絶縁膜を被覆する工程と、下側絶縁膜の上に光センサ用の入射窓とEPROM用の照射窓を備える遮光膜を配設する工程と、照射窓を介してEPROMを紫外光によって照射する工程と、遮光膜の上に紫外光に対して非透過性の上側絶縁膜を被覆する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。