特許

J-GLOBAL ID：200903048664436394

発光素子及びその製造方法

発明者： 宇田川 隆
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-073938
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274370
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】 含窒素 III-V族化合物半導体層を発光層とする高輝度の緑色帯域の発光を呈する発光素子を得る。【構成】 等電子的で且つ発光の再結合中心となるタリウムが規定された原子濃度範囲内でドーピングされた、低炭素原子濃度の含窒素 III-V族化合物半導体層を発光層として発光素子を形成する。低炭素原子濃度のタリウムドーピング含窒素 III-V族化合物半導体層はシクロペンタジエニルタリウムをタリウムのドーピング源として得る。【効果】 高輝度の含窒素 III-V族化合物半導体緑色LEDが得られる。シクロペンタジエニルタリウムをタリウムのドーピング源とすることにより、出発原料との複合体化反応が回避でき、炭素の汚染を低く抑制することができる。

請求項（抜粋）：

ホウ素(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)若しくはインジウム(In)のうち少なくとも一つを第 III族を構成元素とし、かつタリウム(Tl)がドーピングされてなる含窒素 III-V族化合物半導体層を発光層として具備してなることを特徴とする発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平3-152983
  
• 特開昭52-141187
  
• 特開昭51-138384