特許

J-GLOBAL ID：200903048669864840

縦型半導体装置及びその製造方法

発明者： 樹神 雅人 ,  上杉 勉
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (3件)： 布施 行夫 ,  井上 一 ,  大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-189142
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210368
出願日： 1999年07月02日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：

【課題】トレンチにエピタキシャル成長により埋め込みをすることなく、n-型領域とp-型領域とが交互に並んだ構造の半導体層を備える縦型半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】p-型領域12となるp-型シリコン層13を形成し、p-型シリコン層13に形成された第1トレンチ22の側壁からp-型シリコン層13にn型の不純物を固相拡散することにより、n-型領域11を形成している。【選択図】 図7

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1領域と第2導電型の第2領域とが交互に並んだ構造部を有し、前記第1領域と前記第2領域との接合部により前記第1領域及び前記第2領域が空乏化可能な縦型半導体装置の製造方法であって、 (a)第1導電型の第2半導体層上に第2導電型の第1半導体層を形成する工程と、 (b)前記第1半導体層に第1トレンチを形成する工程と、 (c)気相拡散又は固相拡散により、第1導電型の不純物が前記第1トレンチの側壁を通して前記第1半導体層に拡散されることにより,前記第1半導体層の一部に前記第1領域を形成し、かつ前記第1半導体層の残りの部分を前記第2領域にする工程と、 を備えた縦型半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L29/78 652H ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658A