特許

J-GLOBAL ID：200903048675146932

レジストパターンの形成方法

発明者： 小森 基史
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-104379
公開番号（公開出願番号）：特開平11-295904
出願日： 1998年04月15日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 特別な装置を必要とせず、化学増幅型レジストに容易に微小なホールパターンを形成する。【解決手段】 厚膜のポジ型化学増幅型レジストをEB(Electron Beam)直描装置によりパターニングを行った後に、ポジ型化学増幅型レジストの保護基を界面活性剤およびフッ酸でウェット処理することによりはずし、さらにベーク処理を行うことでレジストを変形させ、微小なホールパターンを形成する。

請求項（抜粋）：

化学増幅型レジストのパターニングを行った後に、化学増幅型レジスト中の保護基を界面活性剤およびフッ酸でウェット処理することによりはずし、さらにベーク処理を行うことでレジストを変形させることを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/40 511 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/40 511 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/30 568 ,  H01L 21/30 571