特許
J-GLOBAL ID：200903048675312247
半導体レーザの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-361112
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204618
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】 半導体レーザのアイソレーション溝を浅くする。【構成】 活性層9部を挟んで形成されるアイソレーション溝10の形成部位にダミーの活性層11を設ける。このダミーの活性層11の部分には電流ブロック層4,3がなく、他の部分よりも基板2が凸状に突出しているので、アイソレーション溝10はここまでエッチングすればすみ、その深さが浅くてすむ。【効果】 後工程の写真製版のレジストを均一に塗布することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上のエピタキシャル成長層中に活性層を有し、該活性層の両側を電流ブロック層で埋め込む構造の半導体レーザを製造する方法において、活性層の両側あるいは片側に、ダミーの活性層、あるいはこれと同様の構成で寸法のみ異なるものを形成する工程と、上記ダミー活性層の全部又は一部を取り除くようエッチングによりアイソレーション溝を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/306
, H01L 21/76
