特許
J-GLOBAL ID：200903048678869471
薄膜トランジスタおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-307118
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121436
出願日： 1991年10月28日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】 LDD構造の薄膜トランジスタにおいて、ソース領域およびドレイン領域の不純物濃度の勾配を緩やかにする【構成】 ゲート電極14をマスクとして、ドレイン領域12b側から30°の角度で高濃度のリンイオンを浅く注入すると、そのピークが曲線Pで示すようになる。次に、同じく30°の角度で中位の濃度のリンイオンをやや深く注入すると、そのピークが曲線Qで示すようになる。次に、同じく30°の角度で低濃度のリンイオンをより一層深く注入すると、そのピークが曲線Rで示すようになる。また、ソース領域12a側も150°の角度でリンイオン注入を同じく3回行う。この後、400°C程度のレーザアニールを行って注入不純物を活性化すると、注入不純物の拡散が行われなくとも、不純物濃度の勾配が緩やかになる。
請求項（抜粋）：
半導体層に形成されたソース領域およびドレイン領域の不純物濃度の等濃度線のプロフィルがそれぞれゲート電極領域外の所定深さの位置からゲート電極領域下の表面に向かって曲線状に形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/265
, H01L 27/12
H01L 29/78 311 P
, H01L 21/265 L
, H01L 21/265 F
, H01L 21/265 A
