特許

J-GLOBAL ID：200903048680583291

半導体装置用テープキャリア及びその製造方法

発明者： 秋野 久則 ,  珍田 聡
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 川澄 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-086910
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289650
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】無電解スズめっきを施す際のリード側面のスズの過剰析出を防止して、高い信頼性を有する半導体装置用テープキャリアを得る。【解決手段】ポリイミド樹脂フィルム1上にニッケルスパッタ層2を介して設けた銅箔3をパターニングして銅リード8を含む配線パターンを形成し、その配線パターン上に、銅の錯化剤を含有するめっき液を使用した置換析出型の無電解めっきによりスズめっき層4を形成する半導体用テープキャリアの製造方法において、スズめっきの前処理として、前記銅リード8の下方からはみ出しているニッケルスパッタ層の部分2aを前処理剤により剥離除去し、これによりスズの過剰析出を防止する。

請求項（抜粋）：

ポリイミド樹脂上にニッケルスパッタ層を介して設けた銅箔をパターニングして銅リードを含む配線パターンを形成し、その配線パターン上にスズめっき層を形成した半導体用テープキャリアにおいて、スズめっきの前処理で銅リード下方からはみ出したニッケルスパッタ層を除去したことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  C23C 18/18 ,  C23C 18/31

FI (3件)：

H01L 21/60 311 W ,  C23C 18/18 ,  C23C 18/31 Z

Fターム (17件)：

4K022AA02 ,  4K022AA32 ,  4K022AA41 ,  4K022BA21 ,  4K022BA35 ,  4K022CA14 ,  4K022CA15 ,  4K022CA22 ,  4K022CA23 ,  4K022CA29 ,  4K022DA03 ,  4K022DB04 ,  4K022DB08 ,  5F044MM03 ,  5F044MM23 ,  5F044MM25 ,  5F044MM48