特許

J-GLOBAL ID：200903048688327707

半導体記憶素子

発明者： 中村 孝
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-247715
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090607
出願日： 1991年09月26日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】 結晶性の良い強誘電体薄膜を形成し、そのキャパシタを利用して非破壊読み出しが可能で、製造工程が容易な半導体記憶素子を提供する。【構成】 電界効果型トランジスタと強誘電体キャパシタからなり、前記トランジスタのゲート電極がキャパシタの一方の電極と接続されており、またキャパシタとゲート電極とのあいだに取出電極が接続されている。ゲート電極は前記キャパシタの一方の電極と共用している。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板表面に間隔をおいて形成された2つの第2導電型の半導体領域のあいだの前記基板表面に誘電体薄膜が設けられており、該誘電体薄膜上部に導電膜が形成されゲート電極とした電界効果型トランジスタと、強誘電体を2つの導電体電極ではさんだ強誘電体キャパシタとを有する半導体記憶素子であって、前記電界効果型トランジスタのゲート電極が前記強誘電体層をはさむ2つの導電体電極の一方を共用してなることを特徴とする半導体記憶素子。

IPC (5件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 11/22 ,  G11C 17/04 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭48-005368
  
• 特開平3-032066
  
• 特開平2-185789