特許
J-GLOBAL ID：200903048701680918
プラズマCVD装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-129497
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338465
出願日： 1993年05月31日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：
【要約】【目的】 トレイをアンローダ側からローダ側へ返送するラインを不要にして、設備を簡略化したプラズマCVD装置を提供する。【構成】 3層の薄膜を積層するための3つの成膜チャンバー2、3、4をゲート弁を介して直列に配置し、その前後に真空チャンバー1、5を備えたプラズマCVD装置において、基板を搭載して各チャンバー間を装置の長手方向に沿って互いに反対方向に移動させる2系列の搬送機構21、22を具備し、基板の移動方向に向かって第1番目及び第3番目の成膜チャンバーで同一材質の膜を成膜する。
請求項（抜粋）：
積層する膜数と同じ数の成膜チャンバーをゲート弁を介して直列に配置し、その前後に真空チャンバーを備えたプラズマCVD装置において、基板を搭載して各チャンバー間を装置の長手方向に沿って互いに反対方向に移動させる2系列の搬送機構を具備したことを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, C23C 16/50
, C23C 16/54
