特許

J-GLOBAL ID：200903048702538945

窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体装置の製造方法

発明者： 小川 雅弘
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (4件)： 板垣 孝夫 ,  森本 義弘 ,  笹原 敏司 ,  原田 洋平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-370303
公開番号（公開出願番号）：特開2006-179623
出願日： 2004年12月22日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：

【課題】光照射による窒化物半導体の熱分解を効率良く行い,安定した基板の分離を行うことを目的とする。【解決手段】サファイア基板101上に,GaN緩衝層,GaN層102,Al0.15Ga0.85N層とGaN層とを交互に積層した多層膜103,さらに多層膜103上にGaN層104を形成し,レーザ光をサファイア基板101側から全面にわたって走査することにより,GaN層102を分解し,自立基板105を得て,更に多層膜103をGaN層104の表面が露出するまで研磨することで,GaN基板106を得る。【効果】多層膜103の熱伝導率が低いために,効率的かつ安定してGaN層102の熱分解が可能となり,光照射によるGaN層102の熱分解を効率良く安定に行い,安定したGaN層104の分離を行うことができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

母材基板上に第1の窒化物半導体および,窒化物半導体基板となる第2の窒化物半導体を形成したのち,光照射により前記第1の窒化物半導体を分解して前記母材基板と前記第2の窒化物半導体を分離する窒化物半導体基板の製造方法であって, 前記第1の窒化物半導体に隣接して,かつ少なくとも2種類以上の窒化物半導体が積層された多層膜を形成する工程を有することを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/01 ,  C23C 16/34 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00

FI (5件)：

H01L21/205 ,  C23C16/01 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 D ,  H01L33/00 C

Fターム (31件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077BE16 ,  4G077DB08 ,  4G077EF04 ,  4G077FH08 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077TB05 ,  4G077TC14 ,  4G077TC17 ,  4G077TK11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030DA08 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045DA52 ,  5F045HA18