特許

J-GLOBAL ID：200903048706824616

電極の形成方法

発明者： 高木 一考
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-035965
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232600
出願日： 1996年02月23日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】 GaAsFETの製造において、ゲート電極とGaAs基板界面に、熱的に安定なTiAs層を形成する。【解決手段】 ショットキー電極の形成に、GaAs表面1にTi層21を形成し、ついでAs雰囲気中にて熱処理を施しTiAs化合物22を形成し、前記TiAs化合物の上にAl層23を堆積させることを特徴とする。また、GaAs表面上のショットキー電極形成予定域にAsを注入31し、前記ショットキー電極形成予定域にTi層21およびAl層23をこの順に積層させて形成したのち、熱処理を施しTiAs化合物22を形成することを特徴とする。さらにGaAs-ICにおけるショットキー電極が上記いずれかの形成方法により形成されることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

GaAs表面にTi層を形成する工程と、次いでAs雰囲気中にて熱処理を施しTiAs化合物を形成する工程と、前記TiAs化合物の上にAl層を堆積させる工程を含むことを特徴とするショットキー電極の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/41 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 29/48 H ,  H01L 29/44 Z ,  H01L 29/80 M