特許

J-GLOBAL ID：200903048712721098

半導体装置製造用研磨剤及び研磨方法

発明者： 高島 正之 ,  ▲すくも▼田 篤 ,  讃良 憲一
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-322904
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162910
出願日： 1997年11月25日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 研磨粒子を水に分散させる工程が不要であり、乳化重合時に研磨粒子の粒径が任意に制御でき、その形状は球形であるため安定した研磨特性が得られ、被研磨表面に傷の発生がなく、研磨後に酸素プラズマ等で燃焼させることにより、被研磨膜表面から完全に除去することが可能であり、更に必要な研磨速度を発現することができ、また傷やディッシング、残留粒子のない研磨膜表面が得られるため、研磨粒子の残留による信頼性の低下や製品歩留まりの低下等のない研磨剤、及び該研磨剤を用いる研磨方法を提供する。【解決手段】 シリコンウエハー上に被覆した金属膜を化学的機械研磨により研磨するための研磨剤であって、上記金属膜を形成する金属と反応し水溶性の金属錯体を形成する錯化剤を含有し、乳化重合により得られるビニル化合物重合体樹脂粒子を含有する水性エマルジョンからなる半導体装置製造用研磨剤、並びに、上記の研磨剤を用いる研磨方法。

請求項（抜粋）：

シリコンウエハー上に被覆した金属膜を化学的機械研磨により研磨するための研磨剤であって、上記金属膜を形成する金属と反応し水溶性の金属錯体を形成する錯化剤を含有し、乳化重合により得られるビニル化合物重合体樹脂粒子を含有する水性エマルジョンからなる半導体装置製造用研磨剤。

IPC (5件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  C08J 5/14 CER

FI (5件)：

H01L 21/304 622 D ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 K ,  C09K 3/14 550 H ,  C08J 5/14 CER