特許

J-GLOBAL ID：200903048717707395

キャパシタ素子を有する半導体装置、およびその検査方法

発明者： 姫田 高志
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-314063
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124327
出願日： 2001年10月11日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】キャパシタ素子に並列に接続された半導体素子の耐圧に制限されることなく、キャパシタ素子のリーク電流を正確に測定する。【解決手段】キャパシタ素子6、7が直列に接続され、その接続点に検査用の端子8が設けられる。さらにキャパシタ素子6、7と並列に、電界効果トランジスタ4が接続される。検査用の端子8とVs端子1間およびVd端子2間に10V以上の直流電圧を印加し、キャパシタ素子6および7のリーク電流を測定する。【効果】キャパシタ素子の良否判定を行なうことができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に、2個以上のキャパシタ素子が直列に接続されて形成されるとともに、前記キャパシタ素子の接続点であって前記半導体基板上に検査用の端子が設けられたことを特徴とするキャパシタ素子を有する半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/095

FI (3件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 29/80 E ,  H01L 27/04 T

Fターム (21件)：

5F038AC05 ,  5F038AC07 ,  5F038AC11 ,  5F038AR22 ,  5F038AV01 ,  5F038AV04 ,  5F038AZ04 ,  5F038DF02 ,  5F038DT04 ,  5F038DT15 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ20 ,  5F102FA09 ,  5F102GA14 ,  5F102GA15 ,  5F102GA16 ,  5F102GA17 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05