特許
J-GLOBAL ID:200903048720697910
感放射線組成物およびパタン形成方法および半導体装置の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
作田 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-103714
公開番号(公開出願番号):特開2000-292924
出願日: 1999年04月12日
公開日(公表日): 2000年10月20日
要約:
【要約】【課題】ArFエキシマレーザの波長193nmに透明かつドライエッチング耐性が高い化学構造を持ち、汎用のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液による現像で膨潤のない、解像性に優れたネガ型のパタン形成方法を提供する。【解決手段】非共役環状ジエンおよびシトラコン酸無水物の少なくとも2種類のモノマーからなる共重合体の酸無水物部分の少なくとも一部を、還元して開環することにより合成したγ-ヒドロキシ酸構造を有するポリマーをレジストのベース樹脂として用いる。
請求項(抜粋):
非共役環状ジエンおよびシトラコン酸無水物の少なくとも2種類のモノマーからなる共重合体の酸無水物部分の少なくとも一部を、還元して開環することにより合成したγ-ヒドロキシ酸構造を有するポリマーと酸発生剤を少なくとも含むことを特徴とする感放射線組成物。
IPC (14件):
G03F 7/038 601
, C08F 8/04
, C08F 8/12
, C08F222/04
, C08F232/00
, C08F236/20
, C08K 5/36
, C08L 45/00
, C08L 47/00
, G03F 7/20 502
, G03F 7/20 521
, G03F 7/32
, G03F 7/38 501
, H01L 21/027
FI (15件):
G03F 7/038 601
, C08F 8/04
, C08F 8/12
, C08F222/04
, C08F232/00
, C08F236/20
, C08K 5/36
, C08L 45/00
, C08L 47/00
, G03F 7/20 502
, G03F 7/20 521
, G03F 7/32
, G03F 7/38 501
, H01L 21/30 502 R
, H01L 21/30 569 E
Fターム (58件):
2H025AA02
, 2H025AA04
, 2H025AA09
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD01
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025CB11
, 2H025CB41
, 2H025CB43
, 2H025CB45
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 2H025FA39
, 2H025FA41
, 2H096AA25
, 2H096BA06
, 2H096EA03
, 2H096EA05
, 2H096FA01
, 2H096GA09
, 2H096HA11
, 2H096HA30
, 2H097CA13
, 2H097CA17
, 2H097FA02
, 2H097HB03
, 2H097JA02
, 2H097JA03
, 2H097LA10
, 4J002BH021
, 4J002BK001
, 4J002BL021
, 4J002EV236
, 4J002EV246
, 4J002EV296
, 4J002FD206
, 4J002GP03
, 4J100AK31Q
, 4J100AR16P
, 4J100AS15P
, 4J100BA03H
, 4J100CA04
, 4J100DA62
, 4J100HA06
, 4J100HA08
, 4J100HA61
, 4J100HB25
, 4J100HB63
, 4J100JA38
, 5F046BA08
, 5F046CA04
, 5F046CB17
, 5F046JA04
, 5F046JA22
, 5F046LA12
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