特許
J-GLOBAL ID：200903048722971513
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-226427
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058752
出願日： 1998年08月11日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 発振器を内蔵した半導体装置の位相雑音を低減する。【解決手段】 半導体基板主面に発振器となる回路を形成した半導体装置では、前記発振回路を他の回路から分離させて配置し、その周囲の半導体基板にシールドを形成し、このシールドの電位を固定する。前記シールドとしては、前記半導体基板主面にn+型のシールド領域を設け、このシールド領域上に、シールド電極を介してシールド配線を形成した。【効果】 発振回路の周囲にシールド領域を設けその電位を固定することにより、発振回路とその周囲の電極との間の電位差を、低周波振動が発生しない低い電位差にしておくことができるので、位相雑音を低減することが可能となる。更に、前記シールド配線を組み合わせて設けることによって、一般的な意味で電界の影響を緩和することができるので、雑音を低減することが可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板主面に発振器となる回路を形成した半導体装置において、前記発振回路を他の回路から分離させて配置し、その周囲の半導体基板にシールドを形成し、このシールドの電位を固定したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
Fターム (8件)：
5F038BH10
, 5F038BH19
, 5F038CA03
, 5F038DF01
, 5F038DF11
, 5F038EZ01
, 5F038EZ02
, 5F038EZ20
