特許

J-GLOBAL ID：200903048723852305

プラズマ窒化処理装置、絶縁膜の形成方法及びp形半導体素子の製造方法

発明者： 片岡 豊隆
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-144705
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332005
出願日： 1999年05月25日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】プラズマ密度の制御と半導体基板への反応種の進入エネルギーの制御を独立して行うことを可能とし、絶縁膜の表面にのみ出来るだけ高濃度の窒素を導入することを可能とするプラズマ窒化処置装置を提供する。【解決手段】酸化膜の表面を窒化するためのプラズマ窒化処置装置は、(A)窒素系ガスに電磁波を照射することによって、励起状態の窒素分子若しくは窒素分子イオンを生成させるプラズマ生成領域10A、及び、(B)プラズマ窒化処理領域10Bを有する処理室10を備え、プラズマ窒化処理領域10Bには、プラズマ生成領域10A側から、プラズマ生成領域10Aと等電位若しくはプラズマ生成領域10Aよりも負の電位が印加される第1電極20、及び、第1電極20よりも正の電位が印加される第2電極21が配設されている。

請求項（抜粋）：

(A)窒素系ガスに電磁波を照射することによって、励起状態の窒素分子、窒素分子イオン、窒素原子若しくは窒素原子イオンを生成させるプラズマ生成領域、及び、(B)プラズマ窒化処理領域、を有する処理室を備え、酸化膜の表面を窒化するためのプラズマ窒化処理装置であって、プラズマ窒化処理領域には、プラズマ生成領域側から、プラズマ生成領域と等電位若しくはプラズマ生成領域よりも負の電位が印加される第1電極、及び、第1電極よりも正の電位が印加される第2電極、が配設されていることを特徴とするプラズマ窒化処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/318

FI (2件)：

H01L 21/31 C ,  H01L 21/318 A

Fターム (55件)：

5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC05 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045CA15 ,  5F045DC51 ,  5F045DP01 ,  5F045DP02 ,  5F045DP03 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ10 ,  5F045EH03 ,  5F045EH16 ,  5F045EH17 ,  5F045EK07 ,  5F045HA04 ,  5F045HA16 ,  5F058BA01 ,  5F058BB04 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BD01 ,  5F058BD03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD09 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BE03 ,  5F058BF51 ,  5F058BF52 ,  5F058BF53 ,  5F058BF55 ,  5F058BF56 ,  5F058BF63 ,  5F058BF72 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01