特許
J-GLOBAL ID：200903048732484360
化合物半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-043444
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254614
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：
【要約】【目的】GaAsなどの化合物を使用するMESFETの改善に関する。【構成】絶縁性基板11上に、化合物半導体層14に比して高濃度の不純物を有する高濃度化合物半導体層12が逆メサ形状に形成され、前記高濃度化合物半導体層12上にソース・ドレイン電極16,17が形成されてオーミック接続され、前記高濃度化合物半導体層12間の前記絶縁性基板11上に、動作層である化合物半導体層14が形成され、前記化合物半導体層14上にゲート電極15が形成されてショットキー接続されてなること。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板(11)上に、化合物半導体層(14)に比して高濃度の不純物を有する高濃度化合物半導体層(12)が逆メサ形状に形成され、前記高濃度化合物半導体層(12)上にソース・ドレイン電極(16,17)が形成されてオーミック接続され、前記高濃度化合物半導体層(12)間の前記絶縁性基板(11)上に、動作層を構成する化合物半導体層(14)が形成され、前記化合物半導体層(14)上にゲート電極(15)が形成されてショットキー接続されてなることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
