特許

J-GLOBAL ID：200903048736821816

不揮発性半導体メモリ装置の製造方法

発明者： 新宮 正孝
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-232257
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048045
出願日： 1991年08月20日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 比較的幅が狭い素子分離領域を挟んで隣の列の活性領域に形成される拡散層との間でパンチスルーを生じさせることがなく、目的とする部分に良好にパンチスルーを生じさせることにより、高集積度で情報の書き込みが可能な不揮発性半導体メモリ装置の製造方法を提供することである。【構成】 ゲート電極10の両側に位置する活性領域に所定のパターンでイオン注入を行うことにより、ソース領域及びドレイン領域をパンチスルーさせ、データの書込みを行う不揮発性半導体メモリ装置を製造する方法において、第1レジスト膜14を予め形成しておき、プログラム用データに対応したパターンで第2レジスト膜16を第1レジスト膜の上から多少位置ずれするように形成し、活性領域6を臨む窓18の幅が、活性領域6の幅よりも小さくなるように構成し、この窓18を通してイオン注入を行うことによりデータの書き込みを行う。

請求項（抜粋）：

ゲート電極の両側に位置する活性領域に所定のパターンでイオン注入を行うことにより、ソース領域及びドレイン領域をパンチスルーさせ、データの書込みを行う不揮発性半導体メモリ装置を製造する方法において、平行に配置されたゲート電極の配列に対して略垂直方向に延在するように半導体基板の表面に複数列に平行に形成してある各活性領域の一方の側部上方に一部重なるように、しかも、この活性領域の間に位置する半導体基板表面に平行に形成してある選択酸化領域の上に位置するように、第1レジスト膜を形成し、この第1レジスト膜の上から、書き込むべきデータに対応したパターンで、上記活性領域の他方の側部上方に一部重なるように、第2レジスト膜を形成し、第1レジスト膜と第2レジスト膜との間に形成される活性領域を臨む窓の幅が、活性領域の幅よりも小さくなるように構成し、この窓を通してイオン注入を行うことにより、同一列に形成してあるソース領域及びドレイン領域をパンチスルーさせ、データの書き込みを行うことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/112 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 433 ,  H01L 29/78 371