特許

J-GLOBAL ID：200903048747952840

半導体装置

発明者： 都築 幸夫 ,  山岡 正美
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-312033
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214691
出願日： 1986年10月21日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子を熱破壊から確実に保護することのできる半導体装置を提供する事を目的とする。【解決手段】 半導体パワー素子が形成された半導体チップにおいて、該半導体パワー素子の発熱状況を検出する感熱素子部を、半導体チップの表面側の大部分に被着された当該半導体パワー素子の金属製端子電極のレイアウトパターンの内側に配置した。

請求項（抜粋）：

その導通状態の際に電流が流れることで高熱を発する半導体パワー素子が形成された半導体チップにおいて、該半導体チップの一表面側の大部分は前記半導体パワー素子の金属製端子電極が被着されており、当該金属製端子電極のレイアウトパターンの内側に、前記半導体パワー素子の発熱状況を検出する感熱素子部を配置したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 29/78 657 F ,  H01L 27/04 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭57-040977