特許

J-GLOBAL ID：200903048749031032

表面モフォロジーに優れたパターン化誘電体薄膜の形成方法

発明者： 魚住 学司 ,  影山 謙介 ,  厚木 勉 ,  内田 寛人 ,  小木 勝実
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 広瀬 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-344551
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174012
出願日： 1998年12月03日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】 レジストを使用せずに、ゾルゲル法により、表面モフォロジー、電気特性、光学特性に優れた、電子・光デバイス材料として使用できるパターン化誘電体薄膜を成膜する。【解決手段】 放射線照射により水を遊離し、熱分解開始温度が 200〜290 °Cである感光剤 (例、o-ニトロベンズアルデヒド) を添加したゾルゲル用成膜原料溶液を、基板に塗布し、得られた塗膜を乾燥してゲル化させ、ゲル化した塗膜に放射線を照射して画像形成露光し、露光した塗膜を溶媒で現像して未露光部を除去し、現像の済んだ塗膜を、 200〜290 °Cで加熱して感光剤を熱分解させ、次いで 300〜370 °Cで仮焼成し、最後に550 °C以上で本焼成して結晶化させて、パターン化誘電体薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

放射線を照射されると水を遊離する感光剤を含有するゾルゲル法用の成膜原料溶液を基板上に塗布し、得られた塗膜を乾燥してゲル化させ、ゲル化した塗膜に放射線を照射して画像形成露光し、露光した塗膜を溶媒で現像して未露光部を除去し、現像の済んだ塗膜を仮焼成して金属酸化物に変化させ、最後に本焼成して金属酸化物の膜を結晶化させることからなるパターン化誘電体薄膜の形成方法において、前記感光剤が、300 °C未満の熱分解開始温度を持ち、かつ残留物を残さずに熱分解できるものであり、前記仮焼成が、前記感光剤の熱分解開始温度以上、300 °C未満の温度で行う第1加熱工程と、300 °C以上、400 °C未満の温度で行う第2加熱工程の少なくとも2段階からなることを特徴とする、パターン化誘電体薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  C01G 25/00 ,  G02B 6/13 ,  H01G 4/33

FI (5件)：

H01L 21/316 U ,  H01L 21/316 P ,  C01G 25/00 ,  G02B 6/12 M ,  H01G 4/06 102