特許
J-GLOBAL ID:200903048756589880

基板表面処理装置およびこれを用いた基板表面処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-157810
公開番号(公開出願番号):特開平10-012511
出願日: 1996年06月19日
公開日(公表日): 1998年01月16日
要約:
【要約】【課題】 基板上に微細なレジスト・パターンを形成する際に、該基板上のレジスト現像液のパドル内の気泡発生に起因する現像不良を防止し、歩留りを改善する。【解決手段】 従来装置よりもノズル4の吐出口5の数を増やし、ウェハWの表面からの高さh2 を減ずることにより、レジスト現像液の落下エネルギーを減じたレジスト現像装置を用い、ウェハW上にパドル(液膜)Pを形成する。これだけでも気泡の発生が従来より大幅に減少するが、パドル現像中に現像カップ1の上部に配設された超音波発生器8から超音波Uを照射することにより、さらに徹底した気泡除去を行う。気泡除去方法としてはこの他、微小突起を有する平板状の治具をパドルPに接触させて行っても良い。あるいは、ディップ式現像と超音波照射を組み合わせることも有効である。
請求項(抜粋):
基板の表面処理を行うための処理チャンバと、前記処理チャンバ内で基板を載置するためのステージと、基板の表面処理用の薬液を供給する薬液供給系統と、前記薬液供給系統の末端部に接続され、薬液を基板へ向けて吐出するための複数の吐出口が開口されたノズルとを備え、前記吐出口の数とその基板面からの高さとが、基板上に形成される薬液の液膜中における気泡発生を抑制できるように最適化されてなる基板表面処理装置。
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  G03F 7/30 501
FI (4件):
H01L 21/30 569 C ,  G03F 7/30 501 ,  H01L 21/30 569 B ,  H01L 21/30 569 F

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