特許
J-GLOBAL ID：200903048760330491
プレーナ型半導体素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-281503
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125009
出願日： 1994年10月21日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】pn接合の終端構造を改良して、歩留まりの良い信頼性の高い高耐圧のプレーナ型半導体素子を得る。【構成】第1導電型半導体基板1(n-型)の表面の一部に、第2導電型領域4(p+型)が選択拡散により形成されたプレーナ型半導体素子において、第2導電型領域4の端部に溝12を形成し、この溝12の内面にガラス膜等の高誘電材のパッシベーション膜13を形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板表面の一部に第2導電型領域が選択拡散により形成されたプレーナ型半導体素子において、第2導電型領域端部が化学エッチングまたは機械的加工により多数個の溝に分離され、この溝内面に高誘電材よりなるパシページョン膜を形成したことを特徴とするプレーナ型半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/76 L
, H01L 29/91 D
