半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾身祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-306866
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121698
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】埋め込みn+ 型拡散層(ビット線)と基板との接合耐圧の著しい低下を避けつつ、埋め込みn+ 型拡散層間の電気的分離を実現する。【構成】 p型半導体基板1上に形成され、一方向に延在する複数本のn+ 型拡散層5(ビット線)と、複数本のn+ 型拡散層5と垂直に交差するように、半導体基板1上にゲート絶縁膜3を介して形成された複数本のゲート電極6と、絶縁膜9を介してメモリセル配列部A上を覆うシールドプレート10と、を具備する。コーディングはフォトレジスト膜11をマスクにp型不純物をゲート電極下にイオン注入することによって行う。

請求項（抜粋）：

表面領域内に第1導電型の拡散層が平行に複数本形成されている第2導電型の半導体基板と、前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成された、前記拡散層と直交する複数本のゲート電極と、少なくともゲート電極間の前記半導体基板上を絶縁膜を介して覆っているシールド電極と、を具備する半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-205073
特開平2-094455
特開平3-222456

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