CVD装置及び半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-292745
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128346
出願日： 2002年10月04日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

【課題】a-SiTFTの作製プロセスなどの半導体装置の製造工程において、パターニング用のマスクの枚数を低減し、TFT液晶ディスプレイなどの半導体装置の低価格化を達成する。【解決手段】対向する一対の電極2,3からなる対向電極1間に基板を配置し、大気圧近傍の圧力下で対向電極間1に電界を印加してプラズマを発生させることにより基板S上に成膜を行うにあたり、対向電極1の上部電極2に、放電プラズマを局所的に発生させるための凸部21を、基板Sの成膜領域に対応するパターン形状で設けて、局所的にプラズマを発生するようにすることで、基材Sの成膜領域(a-Si層の成膜領域)のみに薄膜を選択的に成膜する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

対向する一対の電極からなる対向電極間に基板を配置し、大気圧近傍の圧力下で前記対向電極間に電界を印加してプラズマを発生させることにより基板上に成膜を行うCVD装置であって、前記対向電極の少なくとも一方の電極に、プラズマを局所的に発生させるための凸部が、基板の成膜領域に対応するパターン形状で形成されていることを特徴とするCVD装置。

IPC (4件)：

H01L21/205 , C23C16/50 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (3件)：

H01L21/205 , C23C16/50 , H01L29/78 618A

Fターム (51件)：

4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA30 , 4K030BA40 , 4K030BB13 , 4K030BB14 , 4K030CA06 , 4K030FA01 , 4K030FA03 , 4K030HA04 , 4K030JA09 , 4K030KA15 , 4K030KA30 , 4K030LA15 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AE29 , 5F045BB08 , 5F045CA15 , 5F045DB09 , 5F045DP04 , 5F045EH04 , 5F045EH20 , 5F110AA16 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD11 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG45 , 5F110HK01 , 5F110HK03 , 5F110HK09 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HL07 , 5F110HL22 , 5F110NN04 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110QQ09

前のページに戻る