特許

J-GLOBAL ID：200903048776363020

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 井樋田 悟史 ,  工藤 泰樹 ,  森本 光孝 ,  浜野 邦幸
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 桑井 清一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-340254
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152573
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は薄膜トランジスタのオン電流を大きくすることである。【構成】 透明基板1上には、アルミニウムまたはアルミニウム合金のゲート配線体2がパターン化されており、ゲート配線体2は側面をアルミナ3で、上面を酸化タンタル4で被われている。窒化シリコン5上には、シリコン膜6が形成されており、ゲート配線体2上の信号が薄膜トランジスタをオンさせると、高透電率の酸化タンタル4は高コンダクタンスのチャンネルを発生させる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたゲート配線体と、該ゲート配線体を被う絶縁層と、絶縁層上を通過する半導体層とを備えた薄膜トランジスタにおいて、ゲート配線体をアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金で形成し、ゲート配線体上面と半導体層との間絶縁膜は高融点金属の酸化物であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 29/78 311 G ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 E

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-152173
  
• 特開平1-035421