特許
J-GLOBAL ID：200903048778855800
半導体装置および製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-383877
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184792
出願日： 2000年12月18日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：
【要約】【課題】 Pbを含まない低コストで、高い熱伝導性を備え、かつ、すぐれた機械的強度、熱疲労特性およびワイヤボンディングの適合性を具えたダイボンディングにより形成された半導体装置とその製造方法を提供すること。【解決手段】 予め裏面にAl膜2を介して熱可塑性樹脂3の層が形成されている半導体素子5をリードフレーム8に加熱加圧し、Al膜2とリードフレーム8との金属拡散接合を形成させると共に、半導体素子5の周囲に排除された熱可塑性樹脂3を冷却固化して半導体素子5とリードフレーム8を固定補強する。
請求項（抜粋）：
一方の主面に素子が形成され他方の主面に金属による導電体層が形成されている半導体素子と、この半導体素子が前記導電体層が形成されている主面と対向配置され固着された基台とを具える半導体装置であって、前記基台を構成する金属材料と前記導電体層を構成する金属との拡散による接合構造を有することを特徴とする半導体装置。
Fターム (5件)：
5F047AA11
, 5F047BA23
, 5F047BA37
, 5F047BB03
, 5F047BC09
