特許
J-GLOBAL ID：200903048783255411
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井ノ口 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-084643
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251483
出願日： 1992年03月06日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置を構成する半導体素子において、ダイボンディングの際の吸着治具による半導体素子の破壊を回避するとともに作業の簡便化と吸着治具製作費用の削減を図る。【構成】 半導体素子4の表面の中央部に不活性化領域11を設けてある。コレット5によってこの不活性化領域11を吸着して、リードフレームのアイランド部に半導体素子をダイボンドする。この他に半導体素子4の表面の4個所に不活性化領域12を設けてある。半導体素子4の種類および大きさによって多数個設けることもできる。
請求項（抜粋）：
リードフレームのアイランドに搭載され、電極と内部リードとの間がワイヤでボンディングされる半導体素子の表面に不活性化領域を設け、前記アイランドに搭載するとき、コレットにより前記不活性化領域を吸着してダイボンディングするように構成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/52
, H01L 21/68
, H01L 27/04
