特許

J-GLOBAL ID：200903048785347160

半導体デバイス製作用単結晶SiC複合素材及びその製造方法

発明者： 谷野 吉弥 ,  宗友 宣浩
出願人/特許権者： 日本ピラー工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 孝一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-236968
公開番号（公開出願番号）：特開2001-064096
出願日： 1999年08月24日
公開日（公表日）： 2001年03月13日
要約：

【要約】【課題】 半導体デバイス製作加工時に要求される厚さ及び強度を確保できるとともに、格子欠陥やマイクロパイプ欠陥等の発生も非常に少なく、高品質、高精度な半導体デバイスを製作することができるようにする。【解決手段】 Si原子及びC原子により構成された多結晶板3の表面に、膜状のSiO2 層4を介して、Si基板上にヘテロエピタキシャル法により作製された後、Si基板の除去により得られた単結晶SiC膜2を密着状態に積層し接合した後、その複合体6を熱処理することにより多結晶板3上に単結晶SiC膜2の単結晶と同方位に結晶変態された単結晶SiCを一体に成長させている。

請求項（抜粋）：

Si原子及びC原子により構成された多結晶板の表面に、膜状のSiO2 層を介して単結晶SiC膜を密着状態に積層し接合してなり、その複合体の熱処理により多結晶板上に単結晶SiCが成長されていることを特徴とする半導体デバイス製作用単結晶SiC複合素材。

IPC (3件)：

C30B 29/36 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/324

FI (3件)：

C30B 29/36 A ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/324 N

Fターム (11件)：

4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077CA04 ,  4G077CA09 ,  4G077ED06 ,  4G077EE06 ,  5F103AA10 ,  5F103DD17 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103PP03