特許

J-GLOBAL ID：200903048788699415

半導体装置およびその製造方法

発明者： 平田 勝弘 ,  石田 友弘 ,  松浦 恵
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-193031
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036628
出願日： 1991年08月01日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【目的】歩留まりが低下することなく、基板とのオーミック接合も良好なタングステン埋め込み電極構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】本発明の半導体装置は、基板2にゲート電極5および不純物領域6が形成された主面に、スムースコート膜7が形成され、該スムースコート膜7に電極開口部12が形成されて該電極開口部12にタングステン埋め込み電極8が形成されるMOS型の半導体装置であって、前記電極開口部12の底部には、タングステンシリサイド膜11が形成されている。【効果】電極開口部の底部には、タングステンシリサイド膜が形成されているので、タングステン電極の形成の際に、異常反応が起こることもなく、また、良好なオーミック接合電極を得ることが可能となる。

請求項（抜粋）：

基板にゲート電極および不純物領域が形成された主面に、スムースコート膜が形成され、該スムースコート膜に電極開口部が形成されて該電極開口部にタングステン埋め込み電極が形成されるMOS型の半導体装置であって、前記電極開口部の底部には、タングステンシリサイド膜が形成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/90 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784