特許

J-GLOBAL ID：200903048790376216

単結晶製造方法及び装置

発明者： エリッヒ・ドルンベルガー ,  ハンス・エールクルク ,  ヴィルフリート・ファン・アモン ,  ディーター・グラフ
出願人/特許権者： ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-113916
公開番号（公開出願番号）：特開平10-036190
出願日： 1997年05月01日
公開日（公表日）： 1998年02月10日
要約：

【要約】【課題】 ウエハが特に高GOI歩留りを示し、プライムウエハとして特によく適しているか、LPDの大きさが主に0.12μm未満の範囲内にあるのでモニタウエハとして使用でき及びおそらくプライムウエハとしても使用できるように、シリコン単結晶の製造を改善させること。【解決手段】成長単結晶を規定温度範囲において規定のドウエル時間保つシリコン単結晶の製造方法であって、前記温度範囲として850〜1100°Cを選択し、前記選択された温度範囲における成長単結晶のドウエル時間が250分を超えるか80分未満である、シリコン単結晶の製造方法。

請求項（抜粋）：

成長単結晶を規定温度範囲において規定のドウエル時間保つシリコン単結晶の製造方法であって、前記温度範囲として850〜1100°Cを選択し、前記選択された温度範囲における成長単結晶のドウエル時間が250分を超えるか80分未満である、ことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/00 ,  C30B 15/20 ,  H01L 21/208

FI (4件)：

C30B 29/06 502 C ,  C30B 15/00 Z ,  C30B 15/20 ,  H01L 21/208 P

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-313384
  
• 特開昭61-201692