特許
J-GLOBAL ID:200903048791897341
プラズマ処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
,
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-229402
公開番号(公開出願番号):特開2001-023972
出願日: 1999年07月10日
公開日(公表日): 2001年01月26日
要約:
【要約】【課題】 湾曲性のあるフィルムあるいは薄膜等の材料のガスプラズマ処理の効率向上。【解決手段】断面が円形または楕円形形状の管を有する二重管電極構造をもち、その二重管電極の少なくとも一方に試料を機械的クランプ、差圧真空吸着あるいは静電吸着等の手法によって装着し、試料に対向する側の電極に試料装着管と相似形の円管あるいは楕円管を配置し、かつこれらの電極管の両端を絶縁を図りながら閉鎖することによって電極間部分を密閉容器として減圧できる形状にすることによってプラズマを生成せしめる装置構造とする。
請求項(抜粋):
外側が円筒または楕円筒形状の外管電極であって、内側が円筒または楕円筒あるいは円柱または楕円柱形状の内管電極であって、その外管電極と内管電極との間を減圧しうるように両端が閉鎖され、その外管電極と内管電極の管の延伸方向に垂直な断面の一部が相似形でかつその相似部分の外管電極と内管電極との距離が等間隔であって、その外管電極と内管電極とが電気的に絶縁されている二重管電極構造を有するプラズマ処理装置であり、その処理装置でもって二重管電極の外管電極内面または内管電極外面に湾曲性を有するフィルムあるいは薄膜等の材料を装着し、その外管電極と内管電極との間の減圧された領域に反応性ガスを導入した後、その外管電極と内管電極との間に高周波電力を印加することによってプラズマを発生させ、そのプラズマにより前記フィルムあるいは薄膜等の材料をエッチングまたは成膜処理を行うことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5件):
H01L 21/3065
, C23C 16/507
, C23F 4/00
, H01L 21/31
, H05H 1/46
FI (5件):
H01L 21/302 C
, C23C 16/507
, C23F 4/00 A
, H01L 21/31 C
, H05H 1/46 M
Fターム (38件):
4K030CA12
, 4K030FA03
, 4K030GA01
, 4K030KA16
, 4K030KA26
, 4K030KA30
, 4K030KA34
, 4K057DA16
, 4K057DA20
, 4K057DD01
, 4K057DE08
, 4K057DG07
, 4K057DG08
, 4K057DG12
, 4K057DG13
, 4K057DM06
, 4K057DM40
, 4K057DN01
, 5F004AA01
, 5F004BA20
, 5F004BB13
, 5F004BC03
, 5F004CA02
, 5F004CA03
, 5F004CA05
, 5F004DA01
, 5F004DA26
, 5F045AA08
, 5F045AC02
, 5F045AC11
, 5F045BB01
, 5F045BB08
, 5F045EC02
, 5F045EG02
, 5F045EH04
, 5F045EH15
, 5F045EM04
, 5F045EM05
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