特許
J-GLOBAL ID：200903048791962348
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-182058
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029221
出願日： 1992年07月09日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、成長速度を低下させることなく安定した膜質のBPSG膜を得ることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 有機ソースガス5とオゾンガス6をウエーハ3に向かって噴射するとともに、該有機ソースガス及び該オゾンガスが噴射される領域とそれを取り囲む領域とを少なくとも一部を仕切るように該ウエーハに向かって不活性ガス7を噴射し、該有機ソースガスと該オゾンガスを化学反応させて該ウエーハ表面に薄膜を形成する工程を含むように構成する。
請求項（抜粋）：
有機ソースガスとオゾンガスをウエーハに向かって噴射するとともに、該有機ソースガス及び該オゾンガスが噴射される領域とそれを取り囲む領域とを少なくとも一部仕切るように該ウエーハに向かって不活性ガスを噴射し、該有機ソースガスと該オゾンガスを化学反応させて該ウエーハ表面に薄膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/316
