特許

J-GLOBAL ID：200903048793780336

半導体装置の製造法

発明者： 本多 英美 ,  弘田 成弥
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 桑井 清一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-139688
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121319
出願日： 1991年05月15日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】 機械的強度を損なうことなく、高いIG能力を有する半導体ウェーハを安価に提供する。【構成】 高酸素MCZシリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長を行う方法であり、機械的強度を損なうことなく、高いIG能力を有する半導体ウェーハを安価に製造する。

請求項（抜粋）：

高酸素MCZ法で製造したシリコン単結晶より加工したシリコン単結晶基板上に、シリコン単結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とする半導体装置の製造法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/322

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-085085
  
• 特開昭60-247935