特許

J-GLOBAL ID：200903048793828584

半導体装置およびその駆動方法

発明者： 嶋田 恭博 ,  魏 志強 ,  加藤 剛久
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 中島 司朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-304460
公開番号（公開出願番号）：特開2006-120706
出願日： 2004年10月19日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：

【課題】 少ない回数での電圧パルスの印加によっても可変抵抗層に大きな抵抗値の変化を引き起こすことが可能であって、動作速度の速い半導体装置およびその駆動方法を提供する。 【解決手段】 可変抵抗素子部100は、基板10の一方の主表面上に第1電極111と可変抵抗層120とが順に積層され、さらに可変抵抗層120の主表面上における一部領域に第2電極112が積層形成され構成されている。 可変抵抗素子部100では、可変抵抗層120を挟む第1電極111と第2電極112とに、電圧パルスを印加することによって可変抵抗層120にキャリアの注入を行い、その抵抗値を3桁以上増大される。ここで、注入するキャリアの密度は、電流密度にして104A/cm2以上である。 【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

ペロブスカイト構造を有する材料からなり、電界の変化により電気特性が変化する可変抵抗層と、前記可変抵抗層における電気抵抗の変化を生じさせる駆動部とを有する半導体装置であって、 前記駆動部は、前記可変抵抗層に対してキャリアを注入し、当該可変抵抗層の高抵抗化を図るキャリア注入手段を有している ことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10

FI (2件)：

H01L27/04 P ,  H01L27/10 451

Fターム (17件)：

5F038AR07 ,  5F038AR13 ,  5F038AV02 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083JA13 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR23

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第6204139号公報