特許

J-GLOBAL ID：200903048799319053

半導体デバイス

発明者： フレデリク ポンゼ
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-177201
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008064
出願日： 1996年06月19日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 フィンガ部分で電流搬送力と熱抵抗の低減寄生ソース又はエミッタ-インダクタンスの低減させる半導体デバイスを提供する。【解決手段】 半導体基板15上にゲート又はベース端子の電極領域16、ソース又はエミッタ端子の電極領域17及びドレイン又はコレクタ端子の電極領域18を持つトランジスタを有する半導体デバイスを形成する。その際領域は夫々フィンガ19、20、21とこれらと接続される接触面部分22、23、24から成る。更に電極領域17に属するフィンガ部分27の接続を絶縁交差箇所33の形成下にゲート又はベース端子16に属する導線32を介して行い、同時にフィンガ部分19、20、21に関し反対側で第3の電極領域18に属する導電部34、36の下方でウェブ(30、35)として絶縁交差箇所の形成下に接続を行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板(15)及びこの半導体基板(15)の上に形成された少なくとも1個のトランジスタを有し、このトランジスタは半導体基板の主面上に互いに電気的に絶縁されている電極端子領域(16、17、18)を有し、これらの領域はそれぞれゲート又はベース端子に属する第1の電極端子領域(16)、ソース又はエミッタ端子に属する第2の電極端子領域(17)及びドレイン又はコレクタ端子に属する第3の電極端子領域(18)を形成し、その際各電極端子領域はそれぞれ少なくとも1個のフィンガ部分(19、20、21)及び対応するフィンガ部分と導電接続されている接触面部分(22、23、24)からなる半導体デバイスにおいて、接触面部分(23)がフィンガ部分(19、20、21)に関して一方の側に配設されている少なくとも1個の電極端子領域(17)が、対応するフィンガ部分(20)と導電接続されているもう1つの接触面部分(26、26a)を有しており、このもう1つの接触面部分(26、26a)がフィンガ部分(19、20、21)に関し反対側に配設されていることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/41 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (3件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 29/44 F ,  H01L 29/72

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-050651   出願人：株式会社村田製作所