特許

J-GLOBAL ID：200903048800888989

クライオポンプおよび半導体製造装置

発明者： 鈴木 智 ,  内田 淳一 ,  小柳 好一 ,  坂口 二郎 ,  坂本 忠夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-016770
公開番号（公開出願番号）：特開平8-210252
出願日： 1995年02月03日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】 複数のガス種の真空排気能力を多様に制御する。【構成】 冷却温度のより低い2段ステージ6と、冷却温度がより高く、排気対象設備の処理室1にメインバルブ2を介して接続された1段ステージ3の間に、当該1段ステージ3と2段ステージ6の間のコンダクタンスを制御することによって、1段ステージ3とは独立に、2段ステージ6の側の真空排気能力を選択的に調整するためのコンダクタンス調整バルブ5を設け、外部からコンダクタンス調整バルブ駆動部7の弁体駆動軸7aを介して、コンダクタンス調整バルブ5の弁体5bの開度を制御することにより、メインバルブ2を操作することなく、1段ステージ3による蒸気圧の高い水分等を吸着排気除去する能力を維持したままで、冷却温度のより低い2段ステージ6によるプロセスガス等のガス種の排気(圧制御)能力を随意に制御するクライオポンプである。

請求項（抜粋）：

冷却温度の異なる少なくとも二つの第1および第2のステージと、前記第1および第2のステージを冷却する冷熱源と、前記第1のステージと第2のステージの間に配置され、当該第1および第2のステージの間のコンダクタンスを制御するバルブ機構とを含むことを特徴するクライオポンプ。

IPC (5件)：

F04B 37/08 ,  F04B 37/16 ,  F04B 37/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205