特許

J-GLOBAL ID：200903048810358015

電子部品

発明者： 芹澤 精一
出願人/特許権者： 芹澤 精一
代理人 (1件)： 勝部 明長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-242549
公開番号（公開出願番号）：特開平10-068097
出願日： 1996年08月27日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】 この発明は樹脂モ-ルド、銀ペ-スト樹脂などの有機材料を貴金属めっき層上に用いかつ貴金属めっき層の下地のNiめっき層を有する電子部品において、樹脂密着強度を高くしたものである。【解決手段】 樹脂モ-ルド,銀ぺ-スト樹脂などの有機材料を貴金属めっき層上に用いかつ貴金属めっき層の下地にNiめっき層を有する電子部品において、Niめっき層の粗さがこのNiめっき層の平均厚みの0.03倍〜0.10倍であることを特徴とする電子部品を提供する。前記Niめっき層の平均厚みが0.05μm〜50μmであり、Niめっきの上層の貴金属めっき層として、Pd,Pd合金,Au,Au合金,Ag,Ag合金のいずれか一つ以上のめっき層があることを特徴とする電子部品も提供する。

請求項（抜粋）：

樹脂モ-ルド,銀ぺ-ストなどの有機材料を貴金属めっき層上に用いかつ貴金属めっき層の下地にNiめっき層を有する電子部品において、前記Niめっき層の粗さがこのNiめっき層の平均厚みの0.03倍〜0.10倍であることを特徴とする電子部品。

IPC (6件)：

C25D 3/12 ,  C23C 24/08 ,  C23C 28/02 ,  H01L 23/50 ,  H05K 1/09 ,  H05K 3/38

FI (6件)：

C25D 3/12 ,  C23C 24/08 A ,  C23C 28/02 ,  H01L 23/50 D ,  H05K 1/09 C ,  H05K 3/38 B