薄膜形成装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-014557
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213636
出願日： 1996年01月30日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】量産性及び歩留の向上が図れると共に、基板の2主面に薄膜を形成するための薄膜形成装置に関する。【解決手段】反応室20内に、立設配置された複数個の、対向する二主面に各々基板が載置されてなる一方の電極と、該電極の前記二主面に各々対向すると共に互いも対向すべく配置された、多数の開口部を備えた2つの他方の電極と、を備えている。

請求項（抜粋）：

対向する二主面に各々基板が載置されてなる一方の電極と、該電極の前記二主面に各々対向すると共に互いも対向すべく配置された2つの他方の電極と、からなる薄膜形成装置であって、該他方の電極は、多数の開口部を備えたことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , H01L 31/04

FI (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 D , H01L 31/04 N , H01L 31/04 V

引用特許：

審査官引用 (14件)

プラズマCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-128665 出願人：三菱重工業株式会社
水素化非晶質シリコン成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-021482 出願人：株式会社富士電機総合研究所
特開平1-130517

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