特許
J-GLOBAL ID：200903048814537372
半導体装置の熱処理方法及び熱処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-083745
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273100
出願日： 1994年03月31日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】 処理を行うための目的温度までの昇温速度を低下させることなく昇温し、かつ、速い冷却速度で冷却する半導体基板の熱処理方法及びこの熱処理を実施するための熱処理装置を提供する。【構成】 加熱体11を一定温度に加熱維持する手段と、半導体基板14の表面が所定の温度に達するまで半導体基板を一定温度に加熱維持された加熱体に近づける手段と、半導体基板の表面が前記所定の温度に達した後、半導体基板の移動を止めてその熱処理を行う手段と、この熱処理が終了してから、半導体基板を加熱体から遠ざけることにより冷却する手段と、半導体基板が前記所定の温度に達する直前に少なくとも1度単位面積当り単位時間に半導体基板に照射される熱量を減ずる手段とを備えている。この照射される熱量を減ずる手段として、半導体基板を加熱体から遠ざける手段を用いるか、半導体基板と加熱体との間に熱遮蔽体21を挿入する手段を用いる。
請求項（抜粋）：
加熱体を一定温度に加熱維持する手段と、半導体基板の表面が所定の温度に達するまで前記半導体基板を一定温度に加熱維持された前記加熱体に近づける手段と、前記半導体基板の表面が前記所定の温度に達した後、前記半導体基板の移動を止めてその熱処理を行う手段と、この熱処理が終了してから、前記半導体基板を前記加熱体から遠ざけることにより冷却する手段と、前記半導体基板が前記所定の温度に達する直前に少なくとも1度単位面積当り単位時間に前記半導体基板に照射される熱量を減ずる手段とを備えていることを特徴とする半導体装置の熱処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/31
, H01L 21/22 511
, H01L 21/324
