特許

J-GLOBAL ID：200903048820922610

半導体量子井戸光学素子

発明者： 張 雄
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-328155
公開番号（公開出願番号）：特開平6-125141
出願日： 1992年12月08日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：

【要約】【目的】 ブルーシフトの光吸収特性を保ちながら、できるだけ大きな光双安定効果を有するような歪み量子井戸構造の半導体量子井戸光学素子を提供することにある。【構成】 主面が(111)面の化合物半導体基板上の[111]方向に、格子定数aとエネルギーバンドギャップEgの異なる2種類の化合物半導体A,B{a(A)>a(B),Eg(A)<Eg(B)}を交互に積層させ、Aを井戸層としBを障壁層とする歪み量子井戸構造を形成した半導体量子井戸光学素子において、障壁層Bは、該層Bにおける歪み緩和の臨界膜厚よりも厚く形成され、結晶成長面に平行な方向に引張られるように歪ませられており、井戸層Aは、障壁層Bに閉じ込められた歪みの部分的な緩和によって、結晶成長面に平行な方向に圧縮されるように歪ませられていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

主面が(111)面の化合物半導体基板上に、格子定数aとエネルギーバンドギャップEgの異なる2種類の化合物半導体A,B{a(A)>a(B),Eg(A)<Eg(B)}を交互に積層させ、Aを井戸層としBを障壁層とする歪み量子井戸又は超格子構造を形成した半導体量子井戸光学素子において、前記障壁層Bは、結晶成長面と平行方向の引張り歪みが部分的に緩和されるように、該層Bにおける歪み緩和の臨界膜厚よりも厚く形成され、前記井戸層Aには、前記障壁層Bに閉じ込められた歪みの部分的な緩和によって、結晶成長面と平行方向の圧縮歪みが与えられていることを特徴とする半導体量子井戸光学素子。