特許
J-GLOBAL ID:200903048820928014
磁気抵抗効果型センサ素子、例えば、角度センサ素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
矢野 敏雄 (外4名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-571276
公開番号(公開出願番号):特表2002-525609
出願日: 1999年04月03日
公開日(公表日): 2002年08月13日
要約:
【要約】磁気抵抗効果型センサ素子、例えば、角度センサ素子であって、第1の磁性層(1)を有し、該第1の磁性層(1)の磁化方向は、1つの基準方向を成し、第1の磁性層(1)上に形成された第2の磁性層(2)及び第2の磁性層(2)上に形成された第3の磁性層(3)を有し、該第3の磁性層(3)の磁化方向は、外部磁界により作用、影響を受けるものである磁気抵抗効果型センサ素子、例えば、角度センサ素子が提案され、ここにおいて、前記第3の非磁性層(3)は、少なくとも部分的に個個のセグメント(3a)の形態で構成されている。
請求項(抜粋):
磁気抵抗効果型センサ素子、例えば、角度センサ素子であって、第1の磁性層(1)を有し、該第1の磁性層(1)の磁化方向は、1つの基準方向を成し、第1の磁性層(1)上に形成された第2の非磁性層(2)及び第2の磁性層(2)上に形成された第3の磁性層(3)を有し、 該第3の磁性層(3)の磁化方向は、外部磁界により作用、影響を受けるものである磁気抵抗効果型センサ素子、例えば、角度センサ素子において、 前記第3の磁性層(3)は、少なくとも部分的に個個のセグメント(3a)の形態で構成されていることを特徴とする磁気抵抗効果型センサ素子、例えば、角度センサ素子。
IPC (6件):
G01B 7/30 101
, G01R 33/02
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01L 43/08
, G01D 5/18
FI (7件):
G01B 7/30 101 B
, G01R 33/02 L
, G11B 5/39
, H01L 43/08 U
, H01L 43/08 Z
, G01D 5/18 L
, G01R 33/06 R
Fターム (21件):
2F063AA31
, 2F063DA05
, 2F063GA52
, 2F063GA79
, 2F077CC02
, 2F077JJ09
, 2F077PP14
, 2F077VV01
, 2F077VV33
, 2G017AA03
, 2G017AA06
, 2G017AB01
, 2G017AB07
, 2G017AD55
, 2G017AD59
, 2G017AD63
, 2G017AD65
, 2G017BA09
, 5D034BA03
, 5D034BA04
, 5D034CA08
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