特許
J-GLOBAL ID：200903048826716426
半導体素子電極とのメッキ接続用リードおよびその実装方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
田村 弘明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-317016
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140559
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、メッキ接合するに際し、半導体素子上の電極或いはバンプ(以下電極と言う。)に直接接触するリード、およびこのリードを用いて均一且つ、安定した多ピン向きのメッキ接合部が得られる半導体装置の実装方法を提供する。【構成】 リード先端に、メッキ若しくは折曲げにより5〜200μm高さの同一材質あるいは電気導体の突起を設けた半導体電極とのメッキ接続用リード、および、前記リード先端の突起と半導体素子上の電極とを同位置に配置すると共に電気的に導通が得られるように接触、固定せしめて、メッキ浴中に浸漬するか、メッキ液噴霧中に置き、リードと半導体素子上の電極をメッキ金属により接続することを特徴とする半導体素子の実装方法。
請求項（抜粋）：
リード先端に、メッキにより5〜200μm高さの同一材質あるいは電気導体の突起を設けたことを特徴とする半導体電極とのメッキ接続用リード。
IPC (2件)：
H01L 23/50
, H01L 21/60 311
