特許
J-GLOBAL ID：200903048826977610
半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-344156
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160506
出願日： 1991年12月03日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【目的】 素子の直列抵抗が低減され、かつ複数の電極を必要とする素子に適用しようとする高抵抗層埋め込み構造半導体レーザの電極間の分離抵抗が十分にとれる構造とする。【構成】 活性層3を含んだメサストライプの上面において、p型InPオーバークラッド層7とp型InGaAs電極層8から構成されたストライプ状の積層体16を有し、積層体の側面が(111)結晶面から構成されn型InP基板1に向かって裾広がりの形状であり、積層体16の幅をメサストライプより広い幅とする。
請求項（抜粋）：
第1の導電型を有する(100)結晶面の半導体基板と、前記半導体基板上に配置され、第1の導電型を有するバッファ層,活性層,および第2の導電型を有するクラッド層を含みストライプ状に形成されたメサストライプと、前記メサストライプの両側面に配置され半絶縁性高抵抗層を有する電流阻止層とを有する半導体レーザにおいて、前記メサストライプの上面に、メサストライプに沿って配置されメサストライプよりも幅の広い第2の導電型を有するクラッド層と電極層とからなるストライプ状の積層体を備え、前記積層体の側面が(111)結晶面から構成され、基板に向かって裾広がりの形状を呈したことを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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