特許

J-GLOBAL ID：200903048832893658

相補型電界効果トランジスタ構造およびその製造方法

発明者： ジェイムス・エイ・マイスウイッチ ,  アレジャンドロ・ジー・シュロット ,  ブルース・エイ・スコット
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-131749
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332133
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 モット材料酸化物チャネルを有する相補型電界効果トランジスタ構造の製造方法を提供する。【解決手段】 製造方法は、第1および第2のサイドを有する積層構造を形成する工程を含む。第1のサイドは、第1のタイプのモット・チャネル層107を有し、第2のサイドは、第2のタイプのモット・チャネル層106を有する。第1のソース領域408および第1のドレイン領域409は、第1のサイドに形成され、第2のソース領域302および第2のドレイン領域303は、第2のサイドに形成される。第1のゲート領域301は、第2のサイドに、第2のゲート領域412は、第1のサイドに形成される。第1のソース408,第1のドレイン409,および第1のゲート301は、第1のタイプの電界効果トランジスタを,第2のソース302,第2のドレイン303,および第2のゲート412は、第2のタイプの電界効果トランジスタを構成する。

請求項（抜粋）：

相補型電界効果トランジスタ構造を製造する方法において、第1のタイプのモット・チャネル層を形成する工程と、前記第1のタイプのモット・チャネル層に近接した第2のタイプのモット・チャネル層を形成する工程とを含み、前記第1のタイプのモット・チャネル層は、前記第2のタイプのモット・チャネル層に相補的であることを特徴とする製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 27/08 321 C ,  H01L 29/14 ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 622

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 超電導トランジスタ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-292437   出願人：株式会社日立製作所
• 相補型超伝導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-156468   出願人：セイコーエプソン株式会社